A Samsung Electronics szerdai közleménye szerint megkezdte a 3 nanométeres technológiára épülő, úgynevezett Gate-All-Around (GAA) tranzisztorarchitektúrát alkalmazó félvezetők gyártását. Az úttörő eljárással a korábbinál kisebb, gyorsabb és alacsonyabb fogyasztású csipek állíthatók elő.
A dél-koreai elektronikai óriás a korábbi, 5 nanométeres eljáráshoz képest az új processzortechnológiájának köszönhetően 45 százalékkal csökkenti a félvezetők energiafogyasztását, miközben azok felülete 16 százalékkal lesz kisebb. Mindennek a tetejébe a csipek teljesítménye is 23 százalékos javulást mutat.
A Samsung a technológiai folyamatos fejlesztését ígéri. A 3 nm-es csipek következő generációja várhatóan 50 százalékkal fogyaszt kevesebbet, 35 százalékkal kisebb helyet igényel, illetve 30 százalékos teljesítményjavulást tud majd felmutatni az 5 nm-es "kollégákkal" összehasonlítva.
Az első 3 nm-es processzorokat eredetileg 2021-ben szerették volna legyártani, de végül csak mostanra sikerült elindítani a gépeket.
A Samsung távolabbi tervei szerint 2025-re érhetnek be azok a most folyó fejlesztések, amelyek eredményeképpen megszülethetnek a gyártó első, 2 nm-es processzorai.
Az ötlettől az értékteremtésig – a gépi tanulási pipeline szerepe az adattudományi működésben
A jó adatok önmagukban még nem elegendők: a modellek csak akkor működnek megbízhatóan, ha egy átlátható, automatizált és reprodukálható környezetben futnak. A gépi tanulási pipeline-ok éppen ezt a technológiai hátteret teremtik meg.
a melléklet támogatója a One Solutions
EGY NAPBA SŰRÍTÜNK MINDENT, AMIT MA EGY PROJEKTMENEDZSERNEK TUDNIA KELL!
Ütős esettanulmányok AI-ról, agilitásról, csapattopológiáról. Folyamatos programok három teremben és egy közösségi térben: exkluzív információk, előadások, interaktív workshopok, networking, tapasztalatcsere.
2026.03.10. UP Rendezvénytér
Nyílt forráskód: valóban ingyenes, de használatának szigorú szabályai vannak