A Samsung Electronics szerdai közleménye szerint megkezdte a 3 nanométeres technológiára épülő, úgynevezett Gate-All-Around (GAA) tranzisztorarchitektúrát alkalmazó félvezetők gyártását. Az úttörő eljárással a korábbinál kisebb, gyorsabb és alacsonyabb fogyasztású csipek állíthatók elő.
A dél-koreai elektronikai óriás a korábbi, 5 nanométeres eljáráshoz képest az új processzortechnológiájának köszönhetően 45 százalékkal csökkenti a félvezetők energiafogyasztását, miközben azok felülete 16 százalékkal lesz kisebb. Mindennek a tetejébe a csipek teljesítménye is 23 százalékos javulást mutat.
A Samsung a technológiai folyamatos fejlesztését ígéri. A 3 nm-es csipek következő generációja várhatóan 50 százalékkal fogyaszt kevesebbet, 35 százalékkal kisebb helyet igényel, illetve 30 százalékos teljesítményjavulást tud majd felmutatni az 5 nm-es "kollégákkal" összehasonlítva.
Az első 3 nm-es processzorokat eredetileg 2021-ben szerették volna legyártani, de végül csak mostanra sikerült elindítani a gépeket.
A Samsung távolabbi tervei szerint 2025-re érhetnek be azok a most folyó fejlesztések, amelyek eredményeképpen megszülethetnek a gyártó első, 2 nm-es processzorai.
a melléklet támogatója a Hays Hungary
