A Qualcomm bejelentette Snapdragon 835 processzorát, az első olyan központi vezérlőegységét, mely 10 nanométeres csíkszélességgel készül, FinFET gyártási eljárás során. A Samsung felel a gyártásért, ami logikus is, hiszen a dél-koreaiak alkalmaznak a világon először 10 nanométeres gyártási eljárást mobilprocesszorokhoz.

Frissebb, lágyabb, jobb

Az új lapkát a jelenlegi, 14 nanométeres csíkszélességű (egyébként szintén Samsung gyártotta) Snapdragon 821 processzorhoz hasonlítva 30 százalékos hatékonyságnövekedésről és 27 százalékos teljesítményjavulásról lehet beszélni. Mindezt megfejeli a 40 százalékkal alacsonyabb energiafogyasztás, amit a Qualcomm úgy jellemzett, hogy „jelentős fejlődést” értek el az akkumulátor által biztosított működési idő tekintetében.

A kisebb csíkszélesség nem csak a fogyasztás csökkentése szempontjából előnyös, hanem maga a lapka fizikai mérete is összezsugorodhatott. Ezzel a mobil CPU-t használó telefongyártók számára több hely áll rendelkezésre a készülékházon belül, amit vagy annak további vékonyítására vagy nagyobb akkumulátor behelyezésére használhatnak fel.

Keith Kressin, a vállalat termékmenedzsmentjéért felelős vezető alelnöke szerint: „A 10 nanométeres gyártási eljárás lehetővé teszi prémiumkategóriás Snapdragon 835 processzorunk számára az energiahatékonyság növekedése és a nagyobb teljesítmény elérése mellett azt is, hogy számos új képességgel bővíthessük tudását, és így tovább fejleszthessük a holnap mobileszközei nyújtotta felhasználói élményt.”

Villámgyors töltés

A vállalat állítása szerint a Quick Charge 4.0 alkalmazásával 20 százalékkal gyorsabb akkumulátortöltés érhető el a jelenlegi generáció teljesítményéhez képest. Ezzel akár öt órányi akkumulátoridőt kaphat a telefon mindössze 5 percnyi töltés alatt, vagy akár félig is feltölthető a telep egy mindössze 15 percig tartó töltés során.

A Qualcomm által alkalmazott Quick Charge 4.0 teljes mértékben megfelel a Google új, Type-C töltésre vonatkozó specifikációjának. Ezzel pontosabban mérhető a töltési feszültség, a töltési szint és a hőmérséklet, ezzel védve az eszközöket és a töltőket is a túlhevüléstől és az ebből származó sérülésektől. Azért sietett egyébként ezt leszögezni a vállalat, mert a Google a múlt héten közölte, hogy a Quick Charge 3.0 technológia nem kompatibilis a Nougattal.

Már gyártósoron van a Snapdragon 835, jelenleg a készletek felhalmozása történik. Várhatóan az első, erre alapuló okostelefonok és egyéb eszközök 2017 első felében fognak majd megjelenni. Például a Samsung Galaxy S8, ami áprilisban láthat napvilágot, mint az első, Snapdragon 835 processzorral szerelt készülékek egyike.